Иллюстрированный самоучитель по настройке и оптимизации компьютера

         

Настройка модулей оперативной памяти


Раздел написан по материалам и с разрешения савторов айта www.3DNews.ru.

Одной из важнейших подсистем, влияющих на производительность компьютера, является оперативная память. Ее скоростные возможности зависят от настройки работы модулей памяти (твикинг — tweaking), осуществляемой в BIOS Setup.

Обычно все необходимые параметры для модулей памяти устанавливаются в автоматическом режиме — по умолчанию. Это осуществляется, как правило, с помощью специального параметра, например, DRAM Timing, который принимает обычно в BIOS Setup современных материнских плат значения By SPD или Manual.

Значение By SPD (SPD — Serial Presence Detect) обеспечивает установку параметров, рекомендуемых производителем модулей памяти. Здесь следует отметить, что производители, страхуясь, как правило, завышают задержки, обеспечивая гарантированную устойчивость работы во всех конфигурациях компьютера. Но следует учитывать, что при этом они снижают производительность системы, повысить которую можно переходом в режим Manual и установкой оптимальных для конкретных экземпляров модулей памяти значений параметров.

Зависимость производительности от установки разных значений наборов ряда параметров, определяющих скорость работы подсистемы оперативной памяти, приведены ниже.

Тестовая система

В тестовой системе было использовано следующее оборудование:

  • материнская плата Abit KX7-333;
  • 256 Мбайт РС2100 DDR SDRAM, производства Samsung; П процессор AMD Athlon XP 1600+;
  • видеокарта МХ440 на чипе NVidia GeForce4 64Mb (NVIDIA Detonatorv28.32);
  • звуковая карта Creative Live 5.1;
  • жесткий диск IBM DTLA 307030 30Gb;
  • блок питания PowerMan 250W;
  • операционная система Windows 2000 English SP1.
  • Для демонстрации возможностей оптимальной настройки памяти использо-ался тест SiSoft Sandra 2002, а также игровой тест Quake3. Для большей аглядности параметры изменялись по очереди. Для каждого набора установленных параметров ниже приводятся значения достигнутой производигльности.

    Установки по умолчанию



    Начальные параметры при установленных значениях частоты FSB и частоты аботы памяти 133 МГц:


  • Bank Interleave = Disable


  • DRAM Command Rate = 2T


  • CAS Latency = 2.5T


  • Trp = 3T


  • Tras = 6T


  • Trcd = 3T


  • Оценка производительности при значениях параметров по умолчанию

    Тест Значение
    Sandra (Int) 1907
    Sandra (Float) 1776
    QuakeS (Fastest) 218,1 FPS
    Bank Interleave

    араметр Bank Interleave предназначен для управления доступом к открым банкам памяти. Возможные значения: Disable, 2 Bank, 4 Bank (иногда Way/4-Way). Наиболее производительным является значение 4 Bank.

    Оценка производительности при Bank Interleave = 2 Bank

    Тест Значение
    Sandra (Int) 1911
    Sandra (Float) 1791
    QuakeS (Fastest) 222,9 FPS
    Оценка производительности при Bank Interleave = 4 Bank

    Тест Значение
    Sandra (Int) 1925
    Sandra (Float) 1806
    QuakeS (Fastest) 227,3 FPS
    DRAM Command Rate

    С помощью параметра DRAM Command Rate можно вручную изменять задержки при передаче данных между чипсетом и памятью. Это один из тех параметров, которые существенно влияют на производительность подсистемы памяти. Возможные значения 2Т и IT. Наиболее быстрым является IT.

    Для оценки производительности выбирается значение IT, при этом для параметра Bank Interleave оставляется значение 4 Bank.

    Оценка производительности при Bank Interleave = 4 Bank

    Тест Значение
    Sandra (Int) 1965
    Sandra (Float) 1864
    QuakeS (Fastest) 235,0 FPS
    CAS Latency

    Параметр CAS Latency определяет в тактах величину задержки при работе с оперативной памятью. Чем меньше это значение, тем быстрее модули памяти реагируют на запросы, т. е. тем быстрее работает подсистема памяти. Это, пожалуй, наиболее важный, с точки зрения производительности, параметр работы памяти. Возможные варианты значений параметра 2.5Т и 2Т.

    Для оценки производительности выбирается значение 2Т, при неизменных значениях ранее установленных параметров, т. е. Bank Interleave = 4 Bank и DRAM Command Rate = IT.

    Оценка производительности при Bank Interleave = 4 Bank и Command Rate = 1T

    Тест Значение
    Sandra (Int) 2024
    Sandra (Float) 1901
    QuakeS (Fastest) 239,7 FPS
    <


    Как правило, на этом этапе настройка подсистемы памяти заканчивается. Однако, если используются высококачественные модули памяти, то, изменяя параметры Trp (Precharge to Active), Tras (Active to precharge) и Trcd (Active to CMD), можно получить еще небольшую прибавку в скорости.

    Trp, Tras, Trcd

    Значения параметров Trp, Tras, Trcd по умолчанию соответственно: ЗТ, 6Т и ЗТ. Уменьшение указанных величин сопровождается увеличением скорости работы подсистемы памяти. В процессе настройки для этих параметров были установлены следующие значения: Trp = 2Т, Tras = 5Т и Trcd = 2Т.

    Оценка производительности

    Тест Значение
    Sandra (Int) 2039
    Sandra (Float) 1906
    QuakeS (Fastest) 245,0 FPS
    К.ак следует из результатов тестирования, уменьшение значений для параметров Trp, Tras, Trcd обеспечило прирост производительности около 7,5% ю тесту Sandra и более 12% в игровом тесте Quake3.

    Производительность системы с DDR333

    Чриведенные результаты тестирования были получены на компьютере, в сонфигурации которого была использована память DDR266 (РС2100). Сле-ювало ожидать, что замена памяти на DDR333 (РС2700) обеспечит даль-гейший рост производительности. Однако тестовый модуль памяти смог аработать на штатной частоте, т. е. при установленных значениях частоты :SB 133 МГц и частоты работы памяти 166 МГц, только при следующих начениях параметров:

  • Bank Interleave = 4 Bank


  • DRAM Command Rate = IT


  • CAS Latency = 2T


  • Trp = 3T J Tras = 6T


  • Trcd = 3T


  • Опенка пооизволительности с МОДУЛЯМИ памяти DDR333

    Тест Значение
    Sandra (Int) 2052
    Sandra (Float) 1932
    QuakeS (Fastest) 255,1 FPS
    Параметры настройки модулей и оценка производительности

    Следует отметить, что в случае неоптимального выбора значений параметров, определяющих работу оперативной памяти, пользователь теряет значительную часть производительности системы. Это же происходит и при попытке сэкономить финансовые средства на качестве оперативной памяти. Потери в производительности могут достигать по некоторым оценкам до 5— 10%. О величине этой оценки можно судить, например, по тому факту, что прирост в 5—10 FPS в игровом тесте Quake3 (Fastest) соответствует разнице между использованием процессоров AMD Athlon XP1700+ и ХР1600+.

    Анализируя приведенные результаты, целесообразно обратить внимание на частотный режим 166 МГц/166 МГц. Он обеспечивает синхронную работу подсистемы памяти и процессорной шины, обеспечивающей, кстати, при 166 МГц разгон процессора с частоты 1400 до 1750 МГц. В этом режиме отсутствуют задержки на тактовое согласование сигналов. Кроме того, для используемой материнской платы, как впрочем и для многих других, начиная с частоты процессорной шины 166 МГц, используется делитель 1/5 для частоты шины PCI и 2/5 для AGP. Это обеспечивает работу контроллеров жестких дисков и видеоадаптеров на стандартных для них частот, т. е. соответственно для PCI - 33 МГц и AGP — 66 МГц.

    Необходимо отметить, что перечисленными примерами не исчерпывается все многообразие возможных параметров и их значений, используемых в оптимальной настройке режимов работы модулей оперативной памяти. Однако те, что были применены, стали стандартным набором и встречаются в большинстве современных материнских плат. Выбор оптимальных для используемых экземпляров модулей памяти значений этих параметров обеспечивает, как это и было продемонстрировано на приведенных результатах настройки и тестирования производительности системы. При этом для дос-гижения стабильной работы при минимальных значениях параметров для модулей оперативной памяти полезно повышать напряжение, подаваемое на модули памяти (Vmem). Однако необходимо учитывать, что это вместе с установкой повышенных частот работы сопровождается иногда значительным /величением теплообразования, препятствующим корректной работе модулей памяти. В таких случаях для предотвращения опасного перегрева целе-юобразно использовать либо радиаторы для памяти, либо организовывать жтивное охлаждение.
    Содержание раздела