Иллюстрированный самоучитель по настройке и оптимизации компьютера



Настройка модулей оперативной памяти - часть 3


/p>

Как правило, на этом этапе настройка подсистемы памяти заканчивается. Однако, если используются высококачественные модули памяти, то, изменяя параметры Trp (Precharge to Active), Tras (Active to precharge) и Trcd (Active to CMD), можно получить еще небольшую прибавку в скорости.

Trp, Tras, Trcd

Значения параметров Trp, Tras, Trcd по умолчанию соответственно: ЗТ, 6Т и ЗТ. Уменьшение указанных величин сопровождается увеличением скорости работы подсистемы памяти. В процессе настройки для этих параметров были установлены следующие значения: Trp = 2Т, Tras = 5Т и Trcd = 2Т.

Оценка производительности

Тест

Значение

Sandra (Int)

2039

Sandra (Float)

1906

QuakeS (Fastest)

245,0 FPS

К.ак следует из результатов тестирования, уменьшение значений для параметров Trp, Tras, Trcd обеспечило прирост производительности около 7,5% ю тесту Sandra и более 12% в игровом тесте Quake3.

Производительность системы с DDR333

Чриведенные результаты тестирования были получены на компьютере, в сонфигурации которого была использована память DDR266 (РС2100). Сле-ювало ожидать, что замена памяти на DDR333 (РС2700) обеспечит даль-гейший рост производительности. Однако тестовый модуль памяти смог аработать на штатной частоте, т. е. при установленных значениях частоты :SB 133 МГц и частоты работы памяти 166 МГц, только при следующих начениях параметров:

  • Bank Interleave = 4 Bank
  • DRAM Command Rate = IT
  • CAS Latency = 2T
  • Trp = 3T J Tras = 6T
  • Trcd = 3T
  • Опенка пооизволительности с МОДУЛЯМИ памяти DDR333

    Тест

    Значение

    Sandra (Int)

    2052

    Sandra (Float)

    1932

    QuakeS (Fastest)

    255,1 FPS

    Параметры настройки модулей и оценка производительности

    Следует отметить, что в случае неоптимального выбора значений параметров, определяющих работу оперативной памяти, пользователь теряет значительную часть производительности системы. Это же происходит и при попытке сэкономить финансовые средства на качестве оперативной памяти. Потери в производительности могут достигать по некоторым оценкам до 5— 10%. О величине этой оценки можно судить, например, по тому факту, что прирост в 5—10 FPS в игровом тесте Quake3 (Fastest) соответствует разнице между использованием процессоров AMD Athlon XP1700+ и ХР1600+.

    Анализируя приведенные результаты, целесообразно обратить внимание на частотный режим 166 МГц/166 МГц. Он обеспечивает синхронную работу подсистемы памяти и процессорной шины, обеспечивающей, кстати, при 166 МГц разгон процессора с частоты 1400 до 1750 МГц. В этом режиме отсутствуют задержки на тактовое согласование сигналов. Кроме того, для используемой материнской платы, как впрочем и для многих других, начиная с частоты процессорной шины 166 МГц, используется делитель 1/5 для частоты шины PCI и 2/5 для AGP. Это обеспечивает работу контроллеров жестких дисков и видеоадаптеров на стандартных для них частот, т. е. соответственно для PCI - 33 МГц и AGP — 66 МГц.

    Необходимо отметить, что перечисленными примерами не исчерпывается все многообразие возможных параметров и их значений, используемых в оптимальной настройке режимов работы модулей оперативной памяти. Однако те, что были применены, стали стандартным набором и встречаются в большинстве современных материнских плат. Выбор оптимальных для используемых экземпляров модулей памяти значений этих параметров обеспечивает, как это и было продемонстрировано на приведенных результатах настройки и тестирования производительности системы. При этом для дос-гижения стабильной работы при минимальных значениях параметров для модулей оперативной памяти полезно повышать напряжение, подаваемое на модули памяти (Vmem). Однако необходимо учитывать, что это вместе с установкой повышенных частот работы сопровождается иногда значительным /величением теплообразования, препятствующим корректной работе модулей памяти. В таких случаях для предотвращения опасного перегрева целе-юобразно использовать либо радиаторы для памяти, либо организовывать жтивное охлаждение.




    Содержание  Назад  Вперед